Transistors. Page 39 sur 114. Avtronic

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Transistor APM2054ND

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 1.25W. Rds: 0.045 Ohm. Enhancement Mode MOSFET. Boîtier: SOT-89.

Transistor APM4546J

Transistor APM4546J N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor APM4546K

Transistor APM4546K N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor APT5010JFLL

Transistor APT5010JFLL N-MOS 500V 41A/164Ap 378W 0.1R td(on)11nS. Power MOS 7. Faster Switching. Lower Leakage. Constructeur: APT. Boîtier: ISOTOP (SOT-227). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Rds (Ohms): 0.1

Transistor APT5010JVR

Transistor APT5010JVR N-MOS 500V 44A/176Ap 450W 0.1R td(on)14nS. td(off). Power MOS V. Faster Switching. Lower Leakage. Constructeur: APT. Boîtier: ISOTOP (SOT-227). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.1

Transistor B1DMBC000008

Transistor CMS FET PANASONIC CAMCORDER. Marquage CMS:TU

Transistor BC107B

Transistor bipolaire NPN 50V 0.1A. Boîtier: TO18. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Puissance: 0.3W. Fréquence maxi: 300MHz.

Transistor NPN BC107C

Transistor NPN 50V 0.1A 0.3W 300MHz

Transistor BC109C

Transistor NPN BC109C 30V 0.1A 0.3W 300MHz UNI. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-18. UNI. ra. Constructeur: CDIL. Fréquence maxi: 300 MHz. Puissance: 0.3 W

Transistor BC141-16

Transistor bipolaire NPN 100V 1A. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 0.75W. Fréquence maxi: 50MHz. Gain Hfe: 160. Paire: BC161.

Transistor BC161-16

Transistor bipolaire PNP 60V 1A 0.75W >50MHz/E. Boîtier: >160. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 0.75W. Fréquence maxi: 50MHz. Paire: BC141.

Transistor BC177B

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 0.1A. Fréquence maxi: 130 MHz. Puissance: 0.3W.

Transistor BC179

Transistor PNP 25V 0.2A 0.3W 130MHz UNI. Constructeur: MEV. Type de boîtier: TO-18 (TO-206). Boîtier: TO18. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 25V. Consommation 0.2A. Puissance: 0.3W. FT: 130MHz. Fonction: UNI. ra.

Transistor BC182

Transistor NPN BC182 60V 0.1A 0.35W 200MHz TO-92 UNI. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. hFE: 120-500. Constructeur: CDIL. TBC182. Fréquence maxi: 200 MHz. Puissance: 0.35 W

Transistor BC182B

Transistor NPN BC182B 60V 0.1A 0.3W 200MHz TO-92 UNI. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92 (C.B.E). hFE: 180-500. Constructeur: Fairchild. BC182BRL. Fréquence maxi: 200 MHz. Puissance: 0.3 W

Transistor BC182LB

Transistor NPN BC182LB 60V 0.1A 0.35W 150MHz TO-92 UNI. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92 (E.C.B). hFE: 40-80. Constructeur: Fairchild. BC182LBNL. Fréquence maxi: 150 MHz. Puissance: 0.35 W

Transistor BC183B

Transistor NPN BC183B 45V 0.2A 0.3W 280MHz UNI. Vce maxi: 45 V. Courant de collecteur maxi: 0.2 A. Boîtier: TO-92. Constructeur: MEV. Fréquence maxi: 280 MHz. Puissance: 0.3 W

Transistor NPN BC184C

Transistor NPN 45V 0.2A 0.3W 280MHz

Transistor BC212B

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 0.2A. Boîtier: TO-92. Fréquence maxi: 350 MHz. Puissance: 0.3W.

Transistor PNP BC213B

Transistor PNP 45V 0.2A 0.3W 350MHz

Transistor PNP BC214C

Transistor PNP 45V/30V 0.2A 0.625W 200MHz

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